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U盤儲存的原理是什么
U盤，作為我們生活、工作中必不可少移動存儲設(shè)備，對我們來說可以說是不可或缺，幫助我們存儲著一些重要的數(shù)據(jù)文件，但是，這么重要的設(shè)備我們對它又了解多少呢?現(xiàn)在讓我們一起去解讀一下U盤的存儲原理吧，讓我們更加熟悉它的工作原理。
閃存(Flash Memory)盤是一種采用USB接口的無需物理驅(qū)動器的微型高容量移動存儲產(chǎn)品，大家都管他叫U盤，是非揮發(fā)存儲的一種，具有關(guān)掉電源仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)，同時又可重復(fù)讀寫且讀寫速度快、單位體積內(nèi)可儲存最多數(shù)據(jù)量，以及低功耗特性等優(yōu)點(diǎn)。 其存儲物理機(jī)制實(shí)際上為一種新型EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲)。是SCM(半導(dǎo)體存儲器)的一種。
早期的SCM采用典型的晶體管觸發(fā)器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構(gòu)成存儲器�，F(xiàn)代的SCM采用超大規(guī)模集成電路工藝制成存儲芯片，每個芯片中包含相當(dāng)數(shù)量的存儲位元，再由若干芯片構(gòu)成存儲器。目前SCM廣泛采用的主要材料是金屬氧化物場效應(yīng)管(MOS)，包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應(yīng)用最廣泛。
RAM(隨機(jī)存取存儲)，是一種半導(dǎo)體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM(動態(tài))和SRAM(靜態(tài))兩種，我們現(xiàn)在普遍使用的PC機(jī)內(nèi)存即是SDRAM(同步動態(tài)RAM)，它在運(yùn)行過程當(dāng)中需要按一定頻率進(jìn)行充電(刷新)以維持信息。DDR DDR2內(nèi)存也屬于SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存(cache)上。
PROM(可編程ROM)則只能寫入一次，寫入后不能再更改。
EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，并在專用設(shè)備上高電壓寫入信息。
EEPROM(電可擦除PROM)，用戶可以通過程序的控制進(jìn)行讀寫操作。
閃存實(shí)際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floating gate)的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給存儲的環(huán)境下，也能透過此浮閘，來保存數(shù)據(jù)的完整性。
Flash Memory芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的1。Flash Memory采用內(nèi)部閉合電路，這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個芯片，還可以預(yù)先設(shè)定“區(qū)塊”(Block)。在設(shè)定區(qū)塊的同時就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈，以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節(jié)，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash Memory的工作速度大幅領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。
MSM(磁表面存儲)是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面涂敷、電鍍、沉積或?yàn)R射一層很薄的高導(dǎo)磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態(tài)記錄信息“0”和“1”�；w和磁層合稱為磁記錄介質(zhì)。依記錄介質(zhì)的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁盤存儲器。計算機(jī)中目前廣泛使用的MSM是磁盤和磁帶存儲器。硬盤屬于MSM設(shè)備。
ODM(光盤存儲)和MSM類似，也是將用于記錄的薄層涂敷在基體上構(gòu)成記錄介質(zhì)。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導(dǎo)率很小，耐熱性很強(qiáng)的有機(jī)玻璃制成。在記錄薄層的表面再涂敷或沉積保護(hù)薄層，以保護(hù)記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構(gòu)成光盤介質(zhì)，后者構(gòu)成磁光盤介質(zhì)。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且盤片易于更換。缺點(diǎn)是存儲速度比硬盤低一個數(shù)量級�，F(xiàn)已生產(chǎn)出與硬盤速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。
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