iPhone8運(yùn)行內(nèi)存有多大

　　運(yùn)行內(nèi)存是指手機(jī)或電腦運(yùn)行程序時(shí)的內(nèi)存，也叫RAM（簡(jiǎn)稱運(yùn)存）。而另一個(gè)內(nèi)存是用來(lái)存儲(chǔ)東西的內(nèi)存,就像8G的MP4一樣,它擁有8G的存儲(chǔ)空間,這種內(nèi)存為一般叫的手機(jī)內(nèi)存。以下是小編整理的iPhone8運(yùn)行內(nèi)存有多大，歡迎閱讀與收藏。

　　有微博網(wǎng)友爆料，蘋果正在測(cè)試512GB QLC閃存，所以明年的iPhone8可能將配備512GB的閃存。

　　iPhone8概念圖

　　目前的閃存架構(gòu)有四種，SLC、MLC、TLC、QLC。SLC：Single-Level Cell(單層單元)，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴(其價(jià)格約為MLC的3倍以上)，約10萬(wàn)次擦寫壽命。MLC：Multi-Level Cell(雙層單元)，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，大約3000到10000次擦寫壽命。

　　常見(jiàn)的閃存架構(gòu)

　　TLC：Trinary Level Cell，是固態(tài)NAND快閃存儲(chǔ)器的一種，價(jià)格便宜，它的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量是SLC存儲(chǔ)器的3倍，是MLC存儲(chǔ)器的1.5倍，但TLC僅有約1000次擦寫壽命。QLC即4bit/cell，速度最慢壽命最短，價(jià)格最便宜。如果iPhone8采用QLC架構(gòu)的閃存，在使用上不會(huì)有太好的使用體驗(yàn)。

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